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IXGT40N120B2D1中文资料PDF规格书

IXGT40N120B2D1
厂商型号

IXGT40N120B2D1

功能描述

High Voltage IGBTs w/Diode

文件大小

220.85 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-21 16:16:00

产品属性

  • 型号:

    IXGT40N120B2D1

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 75 Amps 1200V 3.5 V Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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