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IXGT40N120B2D1中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
IXGT40N120B2D1
- 功能描述:
IGBT 晶体管 75 Amps 1200V 3.5 V Rds
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
650 V
- 集电极—射极饱和电压:
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压:
20 V 在25
- C的连续集电极电流:
150 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封装/箱体:
TO-247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-268 |
2368 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-268 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-268 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-268 |
6000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
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询价 | ||
IXYS |
08+(pbfree) |
TO-268 |
8866 |
询价 | |||
IXYS |
22+ |
TO268 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2020+ |
NA |
80000 |
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询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2021+ |
NA |
100500 |
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IXYS |
2022+ |
TO-268 |
38550 |
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