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AON2701L	文件：206.91 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description The AON2701/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. AON2701 and AON2701L are electrically identi 文件：206.91 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
APM2701	文件：208.7 Kbytes Page：8 Pages	Dual MOSFET 文件：208.7 Kbytes 页数：8 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
APM2701AC	文件：208.1 Kbytes Page：15 Pages	Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) 文件：208.1 Kbytes 页数：15 Pages	SINOPWER 大中集成电路	SINOPWER
APM2701AC	文件：2.0798 Mbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel V (D-S) MOSFET 文件：2.0798 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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更多AON2701L供应商更新时间2022-6-12 10:12:00