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AON3816	文件：122.65 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AON3816/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as a unidirectional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. AON3816 and AO3816L are electrica 文件：122.65 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON3816	文件：374.69 Kbytes Page：5 Pages	20V N-Channel MOSFET 文件：374.69 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON3816	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) 20V Dual N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AON3816_10	文件：374.69 Kbytes Page：5 Pages	20V N-Channel MOSFET 文件：374.69 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
DFN3x3A-8L
Configuration：
Dual
Polarity：
N
VDS (V)：
20
4.5V：
22
2.5V：
28
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
4
PD @ 25°C (W)：
2.50
Qg (4.5V)(nC)：
11
VGS(th) max (V)：
1.10
Ciss (pF)：
920
Coss (pF)：
155
Crss (pF)：
75
Qgd (nC)：
3.20
tD(on) (ns)：
300
tD(off) (ns)：
7900
Trr (ns)：
7.90
Qrr (nC)：
4.40
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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