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AON4421	文件：271.01 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AON4421 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch. -RoHS Compliant -Halogen Free Product Summary VDS -30V ID (at VGS=-10V) -8A RDS(ON) (at VGS=-10V) 文件：271.01 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON4421	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS
TC4421	文件：78.15 Kbytes Page：6 Pages	9A HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS GENERAL DESCRIPTION The TC4421/4422 are high current buffer/drivers capable of driving large MOSFETs and IGBTs. They are essentially immune to any form of upset except direct overvoltage or over-dissipation — they cannot be latched under any conditions within their power and voltage ratings; the 文件：78.15 Kbytes 页数：6 Pages	TELCOM	TELCOM
TC4421CAT	文件：78.15 Kbytes Page：6 Pages	9A HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS GENERAL DESCRIPTION The TC4421/4422 are high current buffer/drivers capable of driving large MOSFETs and IGBTs. They are essentially immune to any form of upset except direct overvoltage or over-dissipation — they cannot be latched under any conditions within their power and voltage ratings; the 文件：78.15 Kbytes 页数：6 Pages	TELCOM	TELCOM
TC4421EPA	文件：78.15 Kbytes Page：6 Pages	9A HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS GENERAL DESCRIPTION The TC4421/4422 are high current buffer/drivers capable of driving large MOSFETs and IGBTs. They are essentially immune to any form of upset except direct overvoltage or over-dissipation — they cannot be latched under any conditions within their power and voltage ratings; the 文件：78.15 Kbytes 页数：6 Pages	TELCOM	TELCOM

技术参数

Package：
DFN3x2A-8L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
26
4.5V：
34
ID @ 25°C (A)：
-8
PD @ 25°C (W)：
2.50
Qg (4.5V)(nC)：
8.60
Qg (10V)(nC)：
17.60
VGS(th) max (V)：
-1.80
Ciss (pF)：
930
Coss (pF)：
170
Crss (pF)：
120
Qgd (nC)：
3.40
tD(on) (ns)：
6
tD(off) (ns)：
40
Trr (ns)：
18
Qrr (nC)：
32
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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