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AON6405L	文件：133.82 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAON6405LcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. -RoHSCompliant -HalogenFree Features VDS(V)=-30V ID=-30A(VGS=-1	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
ATA6405	文件：281.28 Kbytes Page：12 Pages	12/24VSYSTEMPOWERSUPPLYIC	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
BOXER-6405	文件：309.87 Kbytes Page：2 Pages	FanlessCompactEmbeddedComputerwithIntel®Celeron/Pentium™Processor Features ■SlimBoxerDesign:37mm ■RichI/O,DesignforAutoSystemControl ■WideOperatingTemperature-20°C~60°C ■GigabitEthernetx2,USBx4 ■SupportWallmount	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
BOXER-6405M	文件：358.38 Kbytes Page：2 Pages	FanlessCompactEmbeddedComputerwithIntel®Celeron®/Pentium®Processor Features ■SlimBoxerDesign:42mm ■RichI/O,DesignforAutoSystemControl ■WideOperatingTemperature-20°C~60°C ■GigabitEthernetx2,USBx4 ■SupportWallmount	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
CEB6405	文件：950.88 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-22A,RDS(ON)=46mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED6405	文件：702.89 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-20A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=62mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM6405	文件：782.97 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-5.7A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. RDS(ON)=68mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP6405	文件：950.88 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-22A,RDS(ON)=46mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU6405	文件：702.89 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-20A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=62mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEZ6405	文件：785.15 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-21A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=62mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

详细参数

型号：
AON6405L
功能描述：
MOSFET P CH 30V 30A DFN5X6
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多AON6405L供应商更新时间2025-5-8 10:20:00

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