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AON4701	文件：176.83 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description The AON4701 uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Standard Product AON4701 is Pb-free (meets ROH 文件：176.83 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON4701	文件：175.72 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode 文件：175.72 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON4701	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：P-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AON4701L	文件：176.83 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description The AON4701 uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Standard Product AON4701 is Pb-free (meets ROH 文件：176.83 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Obsolete
Recommended Replacement：
AON4703
Package：
DFN3x2A_8L NEP
Configuration：
Single - P
Vds/V：
-20
Vgs/V：
8
Id(A)(25℃)：
-3.4
Id(A)(75℃)：
-2.7
Pd(W)(25℃)：
1.7
Pd(W)(75℃)：
1.1
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
90
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
120
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
160
Qg (nC)：
6.1

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更多AON4701供应商更新时间2025-12-1 9:03:00

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