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AON5810	文件：404.81 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAON5810usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbidirectionalloadswit	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
BA5810FM	文件：115.3 Kbytes Page：9 Pages	CD/CD-ROM?ⓦ깋?⒲궎?륤C DriverICforCD/CD-ROM BA5810FPisa5CHdriverwith4CHBTLdriverforCD/CD-ROMand1CHreversibledriver.4CH2CHcanbeusedasasteppingmotordriver.PowersupplyforPREVCCandpowertransistor(CH1,2andCH3,4)Sinceitisindependent,efficientdriveispossible.Thepowersavetermi	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BA5810FP	文件：115.3 Kbytes Page：9 Pages	CD/CD-ROM?ⓦ깋?⒲궎?륤C DriverICforCD/CD-ROM BA5810FPisa5CHdriverwith4CHBTLdriverforCD/CD-ROMand1CHreversibledriver.4CH2CHcanbeusedasasteppingmotordriver.PowersupplyforPREVCCandpowertransistor(CH1,2andCH3,4)Sinceitisindependent,efficientdriveispossible.Thepowersavetermi	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CPH5810	文件：64.599 Kbytes Page：5 Pages	CPH5810	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
D5810N	文件：245.21 Kbytes Page：8 Pages	Netz-GleichrichterdiodeRectifierDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
DW5810	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
EM5810	文件：367.39 Kbytes Page：10 Pages	10A5V/12VStep-DownConverter	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EM5810A	文件：367.39 Kbytes Page：10 Pages	10A5V/12VStep-DownConverter	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EM5810AGE	文件：367.39 Kbytes Page：10 Pages	10A5V/12VStep-DownConverter	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
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详细参数

型号：
AON5810
功能描述：
MOSFET 2N-CH 20V 7.7A DFN2X5
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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