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AOI466	文件：330.9 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 53A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 70mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：330.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOI466	文件：959.9 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.9 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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AOT466L	文件：1.72535 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.72535 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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更多AOI466供应商更新时间2025-10-12 14:02:00