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AOI482	文件：305.54 Kbytes Page：6 Pages	100V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAOD482/AOI482combinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforboostconvertersandsynchronousrectifiersforconsumer,telecom,industrialpowersuppliesandLEDbacklighting. ProductSum	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI482	文件：315.92 Kbytes Page：2 Pages	Marking：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT482L	文件：305.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT482L	文件：1.41177 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOT482L	文件：275.43 Kbytes Page：7 Pages	80VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW482	文件：260.459 Kbytes Page：7 Pages	80VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOW482isfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatechargeandlowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurpos	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW482	文件：342.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BA482	文件：33.64 Kbytes Page：5 Pages	Band-switchingdiodes DESCRIPTION Planarhighperformanceband-switchingdiodeinahermeticallysealedglassSOD68(DO-34)package. FEATURES •Continuousreversevoltage:max.35V •Continuousforwardcurrent:max.100mA •Lowdiodecapacitance:max.1.0to1.6pF •Lowdiodeforwardresistance:	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BA482	文件：116.46 Kbytes Page：3 Pages	Band-switchingdiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFS482	文件：53.41 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlow-noise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA.) NPNSiliconRFTransistor •Forlow-noise.high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.2mAto20mA •fT=8GHz F=1.2dBat900MHz •Two(galvanic)internalisolatedTransistorsinonepackage	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

详细参数

型号：
AOI482
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 32A TO251A
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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