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AOI403	文件：414.58 Kbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：414.58 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOI403	文件：2.67933 Mbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：2.67933 Mbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOI403	文件：285.33 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：285.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOI403	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) Alpha and Omega Semiconductor采用先进的300mm和200mm工艺技术用于生产P 沟道功率 MOSFET，其具有卓越的鲁棒性，是负载切换、电池保护和电机驱动的理想选择。	AOS 美国万代	AOS

详细参数

型号：
AOI403
功能描述：
MOSFET P-CH 30V 15A TO251A
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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