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AOI4T60L	文件：74.72 Kbytes Page：1 Pages	TO251A PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：74.72 Kbytes 页数：1 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
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AOI4T60P	文件：318.08 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：318.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF4T60P	文件：288.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.1Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：288.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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更多AOI4T60L供应商更新时间2025-10-3 16:50:00