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CEG9926	文件：56.14 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,4.5A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TSSOP-8forSurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM9926	文件：505.03 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Feature ●20V/,6A,RDS(ON)=30mΩ(MAX)@VGS=4.5V.RDS(ON)=40mΩ(MAX)@VGS=2.5V. ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●ReliableandRugged. ●SOP-8forSurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM9926	文件：986.07 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEM9926	文件：382.35 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET Feature ●20V/6A,RDS(ON)=33mΩ(MAX)@VGS=4.5V.RDS(ON)=50mΩ(MAX)@VGS=2.5V. ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●ReliableandRugged. ●SOP-8forSurfaceMountPackage. Applications ●LI-IONProtectionCircuit	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CEM9926	文件：590.19 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,7A,RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=34mW@VGS=2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM9926A	文件：140.59 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM9926A	文件：603.12 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,6A,RDS(ON)=27mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mW@VGS=2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM9926A	文件：1.00679 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features VDS(V)=20V ID=7A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
CEM9926A	文件：350.97 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features VDS(V)=20V ID=7A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
CEU9926	文件：59.68 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●20V,26A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40m@VΩGS=2.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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详细参数

型号：
AO9926C
功能描述：
MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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