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AO9926C	文件：1.15115 Mbytes Page：5 Pages	20V Dual N-Channel MOSFET General Description The AO9926C uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a unidirectional or bi-directional load switch. Product Summary 文件：1.15115 Mbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO9926C	文件：981.74 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：981.74 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO9926C	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) 20V Dual N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO9926E	文件：249.16 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO9926E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO9926E is Pb-free (meets R 文件：249.16 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO9926EL	文件：249.16 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO9926E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO9926E is Pb-free (meets R 文件：249.16 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AP9926	文件：371.77 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：371.77 Kbytes 页数：5 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Dual
Polarity：
N
VDS (V)：
20
10V：
23
4.5V：
26
2.5V：
34
1.8V：
52
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
7.60
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
6
Qg (10V)(nC)：
12.50
VGS(th) max (V)：
1.10
Ciss (pF)：
525
Coss (pF)：
95
Crss (pF)：
75
Qgd (nC)：
2
tD(on) (ns)：
3
tD(off) (ns)：
20
Trr (ns)：
14
Qrr (nC)：
6
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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