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AOB418	文件：113.83 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOB418 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate chargeand low gate resistance. This device is ideally suited for use as a high side switch in CPU core power conversion. Standard Product AOB418 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specificatio 文件：113.83 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB418	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOB4184	文件：143.06 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOB4184/L uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. With the excellent thermal resistance of the D2PAK package, this device is well suited for high current load applications. AOB4184 and AOB4184L are electrically identica 文件：143.06 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB4184	文件：282.38 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications • FEATURES • Drain Current –ID= 30A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 40V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 10.5mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum 文件：282.38 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOB4184	文件：1.07162 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES • ThunderFET® power MOSFET • Maximum 175 °C junction temperature • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see 文件：1.07162 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOB4184L	文件：143.06 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOB4184/L uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. With the excellent thermal resistance of the D2PAK package, this device is well suited for high current load applications. AOB4184 and AOB4184L are electrically identica 文件：143.06 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB418L	文件：301.82 Kbytes Page：7 Pages	100V N-Channel MOSFET General Description The AOB418 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate chargeand low gate resistance. This device is ideally suited for use as a high side switch in CPU core power conversion. Standard Product AOB418 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specificatio 文件：301.82 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB418L	文件：113.83 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOB418 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate chargeand low gate resistance. This device is ideally suited for use as a high side switch in CPU core power conversion. Standard Product AOB418 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specificatio 文件：113.83 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB418L	文件：283.38 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications • FEATURES • Drain Current –ID= 105A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 9.7mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimu 文件：283.38 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOB4184	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 40V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TO263
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
40
VGS (±V)：
20
10V：
10
4.5V：
13
ID @ 25°C (A)：
50
PD @ 25°C (W)：
50
Qg (10V)(nC)：
27.20
Qg (4.5V)(nC)：
13.60
VGS(th) max (V)：
3
Ciss (pF)：
1500
Coss (pF)：
215
Crss (pF)：
135
Qgd (nC)：
6.40
tD(on) (ns)：
6.40
tD(off) (ns)：
29.60
Trr (ns)：
19
Qrr (nC)：
59
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	AOB418	AOS/万代	2019+	TO263	6700	原厂渠道可含税出货	询价
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