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AOC2802	文件：246.31 Kbytes Page：5 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOC2802usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRSS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasaunidirectionalorbi-directionalloadswit	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON2802	文件：224.02 Kbytes Page：5 Pages	30VDualN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
BD2802GU	文件：553.15 Kbytes Page：28 Pages	6LEDsIllumination TheBD2802GUisaRGBLEDdriverspecificallyengineeredfordecorationpurposes.ThisRGBdriverincorporateslightingpatternsandilluminateswithoutimposinganyloadonCPU.ThisRGBdriverisbest-suitedforilluminationusingRGBLEDsanddecorationusingmonochromeLEDs.Inaddition,thisRGB	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BFCQ-2802	文件：782.36 Kbytes Page：3 Pages	BandpassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
BFCQ-2802+	文件：782.36 Kbytes Page：3 Pages	BandpassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
BFHK-2802	文件：382.38 Kbytes Page：3 Pages	BandpassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
BFHK-2802+	文件：382.38 Kbytes Page：3 Pages	BandpassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
BGA2802	文件：173.85 Kbytes Page：18 Pages	MMICwidebandamplifier Generaldescription SiliconMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)widebandamplifierwithinternalmatchingcircuitina6-pinSOT363plasticSMDpackage. Featuresandbenefits ■Internallymatchedto50Ω ■Againof26dBat950MHz ■Outputpowerat1dBgaincompression=1dBm	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BGA2802	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
CFS2802	文件：151.7 Kbytes Page：1 Pages	WIREWOUNDCOMMONMODEFILTERS	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER

详细参数

型号：
AOC2802
功能描述：
MOSFET 2N-CH 20V 6A WLCSP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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