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AO3401A	文件：127.1 Kbytes Page：4 Pages	丝印：X1**；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3401A/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge and operation gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or other general applications. AO3401A and AO3401AL are electrically identical. -RoHS Comp 文件：127.1 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3401A	文件：1.34606 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-4 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.34606 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3401A	文件：1.047579 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：1.047579 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO3401A	文件：1.87429 Mbytes Page：5 Pages	丝印：X1PV；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement MOSFET Features ● VDS(V)=-30V ● ID=-4.2A(VGS=-10V) ● RDS(ON) 文件：1.87429 Mbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO3401A-HF	文件：1.81037 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-4 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.81037 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3401L	文件：181.24 Kbytes Page：4 Pages	丝印：A1**；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard product AO3401 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 spe 文件：181.24 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3401-SOT23-3L	文件：3.35325 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-4.2 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：3.35325 Mbytes 页数：5 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
AO3402	文件：899.48 Kbytes Page：6 Pages	丝印：3400；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The AO3402 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features ● VDS = 30V,ID = 5.8A RDS(ON) 文件：899.48 Kbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
AO3402	文件：895.62 Kbytes Page：6 Pages	N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package Descriptions N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. Features VDS (V) = 30V ID = 4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：895.62 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
AO3402	文件：1.027829 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：1.027829 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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技术参数

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
26.50
4.5V：
32
2.5V：
48
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
5.70
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
6
VGS(th) max (V)：
1.45
Ciss (pF)：
630
Coss (pF)：
75
Crss (pF)：
50
Qgd (nC)：
1.80
tD(on) (ns)：
3
tD(off) (ns)：
25
Trr (ns)：
8.50
Qrr (nC)：
2.60
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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更多AO3供应商更新时间2025-12-26 10:03:00

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