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AO3401A	文件：1.87429 Mbytes Page：5 Pages	丝印：X1PV；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement MOSFET Features ● VDS(V)=-30V ● ID=-4.2A(VGS=-10V) ● RDS(ON) 文件：1.87429 Mbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW

详细参数

型号：
X1PV
功能描述：
MOSFET P-CH -30V -4.3A SOT23
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多X1PV供应商更新时间2025-9-21 10:02:00

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