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AO3401A	文件：127.1 Kbytes Page：4 Pages	丝印：X1**；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3401A/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge and operation gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or other general applications. AO3401A and AO3401AL are electrically identical. -RoHS Comp 文件：127.1 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3401A	文件：1.34606 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-4 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.34606 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3401A	文件：1.047579 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：1.047579 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO3401A	文件：725.9 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description The AO3401A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation gate voltages as low as 2.5V. This device is suitab le for use as a load switch or other general applications. Product Summary VDS -3 文件：725.9 Kbytes 页数：5 Pages	KERSEMI	KERSEMI
AO3401A	文件：1.87429 Mbytes Page：5 Pages	丝印：X1PV；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement MOSFET Features ● VDS(V)=-30V ● ID=-4.2A(VGS=-10V) ● RDS(ON) 文件：1.87429 Mbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO3401A	文件：496.27 Kbytes Page：5 Pages	丝印：X1**；Package：SOT-23；30V P-Channel MOSFET 文件：496.27 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3401A	文件：242.15 Kbytes Page：5 Pages	丝印：X1**；Package：SOT-23；30V P-Channel MOSFET 文件：242.15 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3401A-HF	文件：1.81037 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-4 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.81037 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3401A_11	文件：242.15 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：242.15 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3401A-3	文件：1.34726 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET 文件：1.34726 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
12
10V：
50
4.5V：
60
2.5V：
85
ID @ 25°C (A)：
-4
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
7
Qg (10V)(nC)：
14
VGS(th) max (V)：
-1.30
Ciss (pF)：
645
Coss (pF)：
80
Crss (pF)：
55
Qgd (nC)：
2.50
tD(on) (ns)：
6.50
tD(off) (ns)：
41
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
3.50
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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