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AO3402	文件：335.95 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-Encapsulate Mosfets FEATURES ●TheAO3402usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwith gatevoltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuse asaloadswitchapplications.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
AO3402	文件：1.026839 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel enhancement mode field effect transistor Features ●VDS(V)=30V ●ID=4A ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3402	文件：895.62 Kbytes Page：6 Pages	N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package Descriptions N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage. Features VDS(V)=30V ID=4A(VGS=10V) RDS(ON)	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
AO3402	文件：715.88 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO3402usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.AO3402L(GreenProduct)isofferedinalead-freepackage. Featu	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AO3402	文件：454.61 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO3402usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.AO3402L(GreenProduct)isofferedinalead-freepackage. Featu	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3402	文件：1.027829 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO3402	文件：899.48 Kbytes Page：6 Pages	Marking：3400；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheAO3402usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=5.8A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
AO3402	文件：2.30533 Mbytes Page：6 Pages	Marking：A29T；Package：SOT23；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Vbs=30V,Ip=3A Rosion)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
AO3402	文件：1.21348 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET Features VDS(V)=30V ID=4A RDS(ON)55m(VGS=10V) RDS(ON)70m(VGS=4.5V) RDS(ON)110m(VGS=2.5V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
AO3402	文件：111.94 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
AO3402
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 4.0A SOT23
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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