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AO3404	文件：1.026869 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：1.026869 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO3404	文件：2.08902 Mbytes Page：5 Pages	丝印：A49T；Package：SOT23；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Vos = 30V.lp = 5.8A Rosion) 文件：2.08902 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AO3404	文件：1.55787 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET Features VDS (V) = 30V ID =5.8 A (VGS=10V) RDS(ON) 文件：1.55787 Mbytes 页数：5 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO3404A	文件：2.09002 Mbytes Page：5 Pages	丝印：A49T；Package：SOT23；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Vps = 30V,Ip = 5.8A Rpson) 文件：2.09002 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AO3404A	文件：1.75189 Mbytes Page：5 Pages	丝印：X4SV；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement MOSFET Features VDS (V) = 30V ID =5.8 A (VGS=10V) RDS(ON) 文件：1.75189 Mbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO3404A	文件：178.82 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3404A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow a Kelvin connection to the source, which may be used to bypass the sou 文件：178.82 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3404A	文件：1.20041 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 5.8 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.20041 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3404A-HF	文件：1.85551 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 5.8 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.85551 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3404-HF	文件：1.45794 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET Features ● VDS (V) = 30V ● ID =5.8 A (VGS=10V) ● RDS(ON) 28 m (VGS = 10V) ● RDS(ON) 43 m (VGS = 4.5V) ● Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish 文件：1.45794 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3404L	文件：110.64 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3404 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device may be used as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO3404 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3404L is a Green Product ordering opti 文件：110.64 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

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技术参数

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
26.50
4.5V：
32
2.5V：
48
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
5.70
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
6
VGS(th) max (V)：
1.45
Ciss (pF)：
630
Coss (pF)：
75
Crss (pF)：
50
Qgd (nC)：
1.80
tD(on) (ns)：
3
tD(off) (ns)：
25
Trr (ns)：
8.50
Qrr (nC)：
2.60
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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更多AO3供应商更新时间2025-12-26 10:03:00

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