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AO3409-HF	文件：1.39466 Mbytes Page：4 Pages	丝印：A9；Package：SOT-23-3；P-Channel Enhancement MOSFET Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -2.6 A (VGS = -10V) ● RDS(ON) 文件：1.39466 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3409L	文件：118.89 Kbytes Page：4 Pages	丝印：A9**；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3409 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO3409 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3409L is a Green Product order 文件：118.89 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3410	文件：110.87 Kbytes Page：1 Pages	PACKAGE MARKING DESCRIPTION PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：110.87 Kbytes 页数：1 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3410	文件：165.31 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor [Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.] General Description The AO3410 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V and as high as 12V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Featu 文件：165.31 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AO3410	文件：396.34 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3410 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V and as high as 12V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = 30V ID = 5.8 A 文件：396.34 Kbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
AO3410	文件：719.51 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 5.8 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：719.51 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3410-HF	文件：1.00918 Mbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 5.8 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.00918 Mbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3410L	文件：110.87 Kbytes Page：1 Pages	PACKAGE MARKING DESCRIPTION PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：110.87 Kbytes 页数：1 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3413	文件：2.15868 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-3 A (VGS =-4.5V) ● RDS(ON) 文件：2.15868 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3413	文件：222.36 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = -20V ID = -3 A RDS(ON) 文件：222.36 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

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技术参数

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
26.50
4.5V：
32
2.5V：
48
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
5.70
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
6
VGS(th) max (V)：
1.45
Ciss (pF)：
630
Coss (pF)：
75
Crss (pF)：
50
Qgd (nC)：
1.80
tD(on) (ns)：
3
tD(off) (ns)：
25
Trr (ns)：
8.50
Qrr (nC)：
2.60
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AO3供应商更新时间2025-12-26 10:03:00

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