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AO3413	文件：222.36 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = -20V ID = -3 A RDS(ON) 文件：222.36 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3413	文件：2.15868 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-3 A (VGS =-4.5V) ● RDS(ON) 文件：2.15868 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3413	文件：958.67 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = -20V ID = -3 A RDS(ON) 文件：958.67 Kbytes 页数：4 Pages	KERSEMI	KERSEMI
AO3413	文件：462.36 Kbytes Page：5 Pages	20V P-Channel MOSFET 文件：462.36 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3413	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 20V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO3413	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Ch MOSFET	JGSEMI 台湾金锆	JGSEMI
AO3413A	文件：504.35 Kbytes Page：6 Pages	丝印：ADRV；Package：SOT-23；20V P-Channel MOSFET Features VDS= -20V ID = -3A (VGS = -4.5V) RDS(ON) 文件：504.35 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO3413A	文件：597.19 Kbytes Page：6 Pages	丝印：ADRV；Package：SOT-23；20V P-Channel MOSFET Features VDS= -20V ID= -3A (VGS = -4.5V) RDS(ON) 文件：597.19 Kbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO3413-HF	文件：2.32577 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-3 A (VGS =-4.5V) ● RDS(ON) 文件：2.32577 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3413L	文件：222.36 Kbytes Page：6 Pages	丝印：AD**；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = -20V ID = -3 A RDS(ON) 文件：222.36 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-20
VGS (±V)：
8
4.5V：
80
2.5V：
100
1.8V：
130
ID @ 25°C (A)：
-3
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
8.50
VGS(th) max (V)：
-1
Ciss (pF)：
560
Coss (pF)：
80
Crss (pF)：
70
Qgd (nC)：
2.10
tD(on) (ns)：
7.20
tD(off) (ns)：
53
Trr (ns)：
37
Qrr (nC)：
27
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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