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AO3413L中文资料万国半导体数据手册PDF规格书

AO3413L
厂商型号

AO3413L

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

丝印标识

AD**

封装外壳

SOT-23

文件大小

222.36 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Alpha & Omega Semiconductors
企业简称

AOSMD万国半导体

中文名称

美国万国半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:22:00

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AO3413L规格书详情

General Description

The AO3413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.

特性 Features

VDS (V) = -20V

ID = -3 A

RDS(ON) < 97mΩ (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 130mΩ (VGS = -2.5V)

RDS(ON)

产品属性

  • 型号:

    AO3413L

  • 制造商:

    AOS

  • 功能描述:

    MOSFET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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