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厂商型号

AO3413

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

958.67 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

KERSEMI

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数据手册

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更新时间

2025-11-28 23:00:00

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AO3413规格书详情

General Description

The AO3413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.

特性 Features

VDS (V) = -20V

ID = -3 A

RDS(ON) < 97mΩ (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 130mΩ (VGS = -2.5V)

RDS(ON)

产品属性

  • 型号:

    AO3413

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -20V -3.0A SOT23

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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