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ACE12322AMN+H	文件：483.83 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description TheACE12322AistheDualN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsare producedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology.Thishighdensityprocessisespecially tailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvol	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE12344B	文件：200.19 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ⚫PWMapplications ⚫loadswitch Features ⚫VDS=30V,ID=5.6A ⚫RDS(ON)1@VGS=10V,TYP18mΩ ⚫RDS(ON)2@VGS=4.5V,TYP28mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE12344BBM+H	文件：200.19 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ⚫PWMapplications ⚫loadswitch Features ⚫VDS=30V,ID=5.6A ⚫RDS(ON)1@VGS=10V,TYP18mΩ ⚫RDS(ON)2@VGS=4.5V,TYP28mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE12410B	文件：717.43 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features VDS(V)=20V ID=11.5A RDS(ON)=10.5mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)=14mΩ@VGS=2.5V GeneralDescription loadswitch batteryprotectionapplications ESDProtection	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE12410BMN+H	文件：717.43 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features VDS(V)=20V ID=11.5A RDS(ON)=10.5mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)=14mΩ@VGS=2.5V GeneralDescription loadswitch batteryprotectionapplications ESDProtection	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE124419B	文件：174 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ⚫BatterySwitch ⚫Loadswitch ⚫Powermanagement Features ⚫VDS=-30V ⚫ID=-10A ⚫RDS(ON)@VGS=-10V,TYP=14mΩ ⚫RDS(ON)@VGS=-4.5V,TYP=23mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE127446B	文件：191.66 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ⚫loadswitch ⚫batteryprotectionapplications Features ⚫VDS=30V ⚫ID=40A ⚫RDS(ON)@VGS=10V,TYP5.1mΩ ⚫RDS(ON)@VGS=4.5V,TYP6.6mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE127446BPD+H	文件：191.66 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ⚫loadswitch ⚫batteryprotectionapplications Features ⚫VDS=30V ⚫ID=40A ⚫RDS(ON)@VGS=10V,TYP5.1mΩ ⚫RDS(ON)@VGS=4.5V,TYP6.6mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE127904B	文件：183.61 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ⚫Synchronousbuckconverter ⚫HighpowerdensityDC/DC ⚫Motordrivecontrol ⚫Batterymanagement ⚫Loadswitch Features ⚫VDS=30V ⚫ID=64.5A ⚫RDS(ON)@VGS=10V,TYP3.6mΩ ⚫RDS(ON)@VGS=4.5V,TYP4.6mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE13019B	文件：439.23 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Plastic-Encapsulate MOSFETS Features Lowon-resistance Fastswitchingspeed Lowvoltagedrivemakesthisdeviceidealforportableequipment Easilydesigneddrivecircuits Easytoparallel	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE

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详细参数

型号：
ACE
功能描述：
KIT DEV ACE ICD-S40/PCW
RoHS：
否
类别：
编程器，开发系统 >> 通用嵌入式开发板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等）
系列：
ACE
标准包装：
1
系列：
PICDEM™
类型：
MCU
适用于相关产品：
PIC10F206，PIC16F690，PIC16F819
所含物品：
板，线缆，元件，CD，PICkit 编程器
产品目录页面：
659(CN2011-ZH PDF)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凌旭科技有限公司	ACE24LC16FM+T	ACE	2016+	SOP8	9000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
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更多ACE供应商更新时间2025-7-19 22:58:00

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