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ACE14805B	文件：1.05361 Mbytes Page：7 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description Loadswitch PWMapplications Features VDS=-30V ID=-8A RDS(ON)@VGS=-10V,TYP18mΩ RDS(ON)@VGS=-4.5V,TYP22mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE14805BFM+H	文件：1.05361 Mbytes Page：7 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description Loadswitch PWMapplications Features VDS=-30V ID=-8A RDS(ON)@VGS=-10V,TYP18mΩ RDS(ON)@VGS=-4.5V,TYP22mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE14805SB	文件：1.05376 Mbytes Page：7 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description Loadswitch PWMapplications Features VDS=-30V ID=-8A RDS(ON)@VGS=-10V,TYP18mΩ RDS(ON)@VGS=-4.5V,TYP26mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE14805SBFM+H	文件：1.05376 Mbytes Page：7 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description Loadswitch PWMapplications Features VDS=-30V ID=-8A RDS(ON)@VGS=-10V,TYP18mΩ RDS(ON)@VGS=-4.5V,TYP26mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE14840B	文件：229.45 Kbytes Page：3 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ⚫DC-DCConverter ⚫LCDDisplayBacklight Features ⚫VDS=40V ⚫ID=5.7A ⚫RDS(ON)@VGS=10V,TYP23mΩ ⚫RDS(ON)@VGS=4.5V,TYP36mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE14840BFM+H	文件：229.45 Kbytes Page：3 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ⚫DC-DCConverter ⚫LCDDisplayBacklight Features ⚫VDS=40V ⚫ID=5.7A ⚫RDS(ON)@VGS=10V,TYP23mΩ ⚫RDS(ON)@VGS=4.5V,TYP36mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE1500B	文件：758.44 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description TheACE1500BisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETwhichisproducedwithhighcelldensityandDMOStrenchtechnology.Thisdeviceparticularlysuitslowvoltageapplications,especiallyforbatterypoweredcircuits,thetinyandthinoutlinesavesPCBconsumption. Features •	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE1512E	文件：397.07 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with ESD Protection Description TheACE1512EusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Theyofferoperationoverawidegatedriverangefrom1.8Vto8V. ItisESDprotected. Features •VDS(V)=20V •ID=6.5A(VGS=4.5V) •RDS(ON)	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE1522B	文件：550.76 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description LinecurrentinterrupterintelephonesetsRelayHighspeedandlinetransformerdrivers. Features •VDS(V)=-50V,ID=-0.13A •RDS(ON)	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE1532B	文件：719.95 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features •LowOn-Resistance •FastSwitchingSpeed •Low-voltagedrive •Easilydesigneddrivecircuits •WedeclarethatthematerialofproductisROHScompliant. •ESDProtected:2000V	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE

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详细参数

型号：
ACE
功能描述：
KIT DEV ACE ICD-S40/PCW
RoHS：
否
类别：
编程器，开发系统 >> 通用嵌入式开发板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等）
系列：
ACE
标准包装：
1
系列：
PICDEM™
类型：
MCU
适用于相关产品：
PIC10F206，PIC16F690，PIC16F819
所含物品：
板，线缆，元件，CD，PICkit 编程器
产品目录页面：
659(CN2011-ZH PDF)

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