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NCE60NP2016G

丝印:60NP2016G;Package:DFN5X6-8L;NCE N&P-Channel complementary Power MOSFET

Description The NCE60NP2016G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features N channel ● VDS =60V,ID =20A RDS(ON)

文件:998.51 Kbytes 页数:10 Pages

NCEPOWER

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更多60NP2016G供应商 更新时间2025-9-15 8:05:00