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DMG3402LQ	文件：2.52747 Mbytes Page：5 Pages	Marking：3404B；Package：3404B；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description TheDMG3402LQusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=30VID=4.2A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
DMN3028LQ	文件：2.52747 Mbytes Page：5 Pages	Marking：3404B；Package：SOT-23；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description TheDMN3028LQusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=30VID=4.2A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
IRLML0030	文件：2.52747 Mbytes Page：5 Pages	Marking：3404B；Package：SOT-23；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description TheIRLML0030usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=30VID=4.2A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
IRLML6346	文件：2.52748 Mbytes Page：5 Pages	Marking：3404B；Package：SOT-23；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheIRLML6346usesadvancedtrenchtechnology GeneralFeatures VDS=30VID=4.2A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NVTR4503N	文件：2.52746 Mbytes Page：5 Pages	Marking：3404B；Package：SOT-23；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description TheNVTR4503NusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=30VID=4.2A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
PMV15ENEA	文件：2.57297 Mbytes Page：5 Pages	Marking：3404B；Package：SOT-23；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyPMV15ENEA GeneralFeatures VDS=30VID=4.2A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
PMV19XNEA	文件：2.52751 Mbytes Page：5 Pages	Marking：3404B；Package：SOT-23；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyPMV19XNEA GeneralFeatures VDS=30VID=4.2A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
SI2300DS	文件：2.5275 Mbytes Page：5 Pages	Marking：3404B；Package：SOT-23；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologySi2300DS GeneralFeatures VDS=30VID=4.2A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
SQ2348ES	文件：2.52746 Mbytes Page：5 Pages	Marking：3404B；Package：SOT-23；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description TheSQ2348ESusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=30VID=4.2A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
YFW3404B	文件：1.82526 Mbytes Page：5 Pages	Marking：3404B；Package：3404B；30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Application Lithiumbatteryprotection Wirelessimpact Mobilephonefastcharging	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

详细参数

型号：
3404B
功能描述：
电缆固定件和配件 TP M16 BLACK NCNR
RoHS：
否
制造商：
Heyco
类型：
Cable Grips, Liquid Tight
材料：
Nylon
颜色：
Black
安装方法：
Cable
最大光束直径：
11.4 mm

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多3404B供应商更新时间2025-7-24 9:30:00

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