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AO3407	文件：1.89348 Mbytes Page：3 Pages	Marking：3407；Package：SOT-23；P-Channel 20-V(D-S) MOSFET ProductSummary VDs=-30V,ID=-4.1A RDS(ON)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BC3407	文件：183.53 Kbytes Page：3 Pages	Marking：3407；Package：SOT-23；Plastic-Encapsulate MOSFETS GeneralDescription TheBC3407usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellent RDS(on)withlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseasaload switchorinPWMapplications.	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BC3407-CAR	文件：244.91 Kbytes Page：3 Pages	Marking：3407；Package：SOT-23；Plastic-Encapsulate MOSFETS GeneralDescription -CARforautomotiveandotherapplicationsrequiringuniquesiteand AEC-Q101qualifiedandPPAPcapable. TheBC3407usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge. ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
DMG2307LQ	文件：1.6335 Mbytes Page：5 Pages	Marking：3407；Package：SOT-23；P-Channel Super Enhancement Mode MOSFET GeneralDescription TrenchPowerLVMOSFETtechnology HighdensitycelldesignforLowRDS(ON) HighSpeedswitching Applications Batteryprotection Loadswitch Powermanagement	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
PMV50EPEA	文件：1.6335 Mbytes Page：5 Pages	Marking：3407；Package：SOT-23；P-Channel Super Enhancement Mode MOSFET GeneralDescription TrenchPowerLVMOSFETtechnology HighdensitycelldesignforLowRDS(ON) HighSpeedswitching Applications Batteryprotection Loadswitch Powermanagement	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
UN307P23T	文件：5.18054 Mbytes Page：8 Pages	Marking：3407；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advancedtrenchcelldesign LowThermalResistance LowGateCharge Halogen-Free&Lead-Free Applications LoadSwitchforPortableDevices Voltagecontrolledsmallsignalswitch	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
DO3407A	文件：1.25778 Mbytes Page：4 Pages	Marking：3407；Package：SOT-23-3；P-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
FTK3407A	文件：1.17365 Mbytes Page：6 Pages	Marking：3407；Package：SOT-23；30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
LM3407A	文件：1.63342 Mbytes Page：5 Pages	Marking：3407；Package：SOT-23；P-Channel Super Enhancement Mode MOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LM3407AL	文件：1.13769 Mbytes Page：5 Pages	Marking：3407；Package：SOT-23-3L；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Translstor	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

产品属性

产品编号：
3407
制造商：
Keystone Electronics
类别：
原型开发，制造品 > 有孔原型板
包装：
散装
原型板类型：
模拟板，预穿孔绝缘
镀层：
无镀层通孔（NPTH）
间距：
0.100"（2.54mm）
孔径：
0.042"（1.07mm）
大小 / 尺寸：
17.00" 长 x 2.73" 宽（431.8mm x 69.3mm）
板厚度：
0.062"（1.57mm）1/16"
描述：
BREADBRD PREPUNCHED INSULAT NPTH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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