丝印：3415；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 3415A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件：811.45 Kbytes 页数：6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

丝印：3415；Package：ST23-3；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low On-Resistance ● ESD protected ● High Power and Current Handing Capability ● Lead-Free,RoHS Compliant

文件：444.14 Kbytes 页数：5 Pages

ADV

爱德微

丝印：3415；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low On-Resistance ● ESD protected ● High Power and Current Handing Capability ● Lead-Free,RoHS Compliant

文件：1.07939 Mbytes 页数：5 Pages

ADV

爱德微

丝印：3415；Package：SOT-23；Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES  Electrostatic Sensitive Devices.  VDS (V) = -20V  ID =-4 A  RDS(ON)

文件：406.58 Kbytes 页数：6 Pages

GALAXY-MICRO

银河微电

丝印：3415；Package：SOT-23；P-Channel Mosfet

Product Summary VDS -20V,ID =-4A RDS(ON)

文件：974.92 Kbytes 页数：3 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

丝印：3415；Package：SOT-23；P-Channel Mosfet

Application @® Load/Power Switching ® Interfacing Switching ® Logic Level Shift

文件：995.08 Kbytes 页数：3 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

丝印：3415；Package：SOT-23；P-Channel Mosfet

Application Load/Power Switching Interfacing Switching Logic Level Shift

文件：2.17223 Mbytes 页数：3 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

丝印：3415；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：1.57117 Mbytes 页数：10 Pages

FUTUREWAFER

FutureWafer Tech Co.,Ltd

丝印：3415；Package：SOT-23；P-Channel MOSFET

文件：90.87 Kbytes 页数：1 Pages

KEXIN

科信电子

丝印：3415；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement MOSFET

文件：169.69 Kbytes 页数：4 Pages

KEXIN

科信电子