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BL3415

丝印:3415;Package:SOT-23;Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES  Electrostatic Sensitive Devices.  VDS (V) = -20V  ID =-4 A  RDS(ON)

文件:406.58 Kbytes 页数:6 Pages

BILIN

银河微电

BL3415

-20V, P Channel MOSFETs

Galaxy

银河微电

BL3415ES-3L

4A, 20V,1.4W, P Channel, Power MOSFETs

Galaxy

银河微电

BL3415ES-6L

4A, 20V, 2W, P Channel, Power MOSFETs

Galaxy

银河微电

技术参数

  • AEC Qualified:

    NO

  • Pb Free:

    YES

  • Halide free:

    YES

  • Reach:

    YES

  • RoHS:

    YES

  • Marketing Status:

    Active

  • Configuration:

    Single

  • Channel Polarity:

    P

  • ESD:

    /

  • TJ(°C)max.:

    150

  • TJ(°C)min.:

    -55

  • PD(W)Max.:

    1.25

  • V(BR)DSS(V)Min.:

    -20

  • VGS(V)Max.:

    ±12

  • ID(A)Max.:

    -4

  • IGSS(uA)Max.:

    ±0.1

  • VGS(th)(V)Max.:

    -1

  • RDS(on)(mΩ)@4.5VTyp.:

    32

  • RDS(on)(mΩ)@4.5VMax.:

    50

  • RDS(on)(mΩ)@2.5VTyp.:

    43

  • RDS(on)(mΩ)@2.5VMax.:

    70

  • RDS(on)(mΩ)@1.8VTyp.:

    78

  • RDS(on)(mΩ)@1.8VMax.:

    100

  • ECCN(US):

    EAR99

  • Category:

    中低压功率MOS

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更多BL3415供应商 更新时间2025-12-1 11:06:00