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IRLML0030中文资料雷卯电子数据手册PDF规格书

IRLML0030
厂商型号

IRLML0030

功能描述

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

丝印标识

3404B

封装外壳

SOT-23

文件大小

2.52747 Mbytes

页面数量

5

生产厂商 Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd
企业简称

LEIDITECH雷卯电子

中文名称

上海雷卯电子科技有限公司官网

原厂标识
LEIDITECH
数据手册

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更新时间

2025-8-4 18:35:00

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IRLML0030规格书详情

描述 Description

The IRLML0030 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application.

General Features

VDS = 30V ID =4.2A

RDS(ON) < 38mΩ @ VGS=10V

Application

Lithium battery protection Wireless impact

Mobile phone fast charging

产品属性

  • 型号:

    IRLML0030

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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