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2ST2121

High power PNP epitaxial planar bipolar transistor

Description The device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour. Features ■ High breakdown voltage VCEO = 250 V ■ Complementary to 2ST5949 ■ Fast switching speed ■ Typi

文件:144.94 Kbytes 页数:8 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

2ST2121

High power PNP epitaxial planar bipolar transistor

ST

意法半导体

2ST2121

Package:TO-204AA,TO-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 250V 17A TO3

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    2ST2121

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 800mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    5µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 1A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    25MHz

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3

  • 描述:

    TRANS PNP 250V 17A TO3

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