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2SK2938STL-E	文件：95.7 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS=0.026Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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