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2SK2940S	文件：55.32 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.010 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：55.32 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2940S	文件：401.21 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：401.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2940STL-E	文件：128.13 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.010 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：128.13 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2940S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
LDPAK(S)-(1)/TO-263
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
60
ID (A)：
45
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
25
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
13
Ciss (pF) 典型值：
2200
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
75
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only

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