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2SK2940	文件：55.32 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.010 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：55.32 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2940	文件：128.13 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.010 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：128.13 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2940	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK2940	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SK2940L	文件：55.32 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.010 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：55.32 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2940L-E	文件：128.13 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.010 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：128.13 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2940S	文件：55.32 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.010 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：55.32 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2940STL-E	文件：128.13 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.010 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：128.13 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2940L	文件：327.36 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：327.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2940L	文件：1.27349 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.27349 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

封装类型：
LDPAK(S)-(1)/TO-263
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
60
ID (A)：
45
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
25
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
13
Ciss (pF) 典型值：
2200
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
75
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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