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2SK2958	文件：51.41 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.5mΩ typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：51.41 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2958	文件：89.13 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.5 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：89.13 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2958	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance\nRDS(on) = 5.5 mΩ typ.\n• 4 V gate drive devices.\n• High speed switching;	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK2958L	文件：51.41 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.5mΩ typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：51.41 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2958L-E	文件：89.13 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.5 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：89.13 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2958S	文件：51.41 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.5mΩ typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：51.41 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2958STL-E	文件：89.13 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.5 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：89.13 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2958L	文件：1.68339 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.68339 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK2958L	文件：326.79 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：326.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2958S	文件：400.66 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：400.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

封装类型：
LDPAK(S)-(1)/TO-263
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
30
ID (A)：
75
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
14
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
7
Ciss (pF) 典型值：
4100
Vgs (off) (V) 最大值：
2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
100
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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