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2SK2958STL-E	文件：89.13 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=5.5mΩtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK2958	文件：51.41 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=5.5mΩtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
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2SK2958L	文件：51.41 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=5.5mΩtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SK2958L	文件：1.68339 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK2958L	文件：326.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK2958L-E	文件：89.13 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=5.5mΩtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK2958S	文件：51.41 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=5.5mΩtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SK2958S	文件：400.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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