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|---|---|---|---|---|
2SK2959 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 7mΩ typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：48.23 Kbytes 页数：9 Pages | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | HITACHI | |
2SK2959 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 7 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：83.1 Kbytes 页数：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
2SK2959 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：332.9 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
2SK2959 | Power MOSFETs | Renesas 瑞萨 | Renesas | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 7 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：83.1 Kbytes 页数：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS |
技术参数
- 封装类型：
TO-220AB
- Nch/Pch：
Nch
- 通道数：
Single
- VDSS (V) 最大值：
30
- ID (A)：
50
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
18
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
10
- Ciss (pF) 典型值：
2000
- Vgs (off) (V) 最大值：
2
- VGSS (V)：
20
- Pch (W)：
75
- 应用：
Industrial
- 安装类型：
Through Hole
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI/日立 |
24+ |
TO 220 |
158359 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
reNESAS |
24+ |
30000 |
询价 | ||||
Renesas |
17+ |
TO-220 |
6200 |
询价 | |||
日立 |
24+ |
TO-220 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
HITACHI |
25+ |
TO220 |
259 |
现货 |
询价 | ||
HITACHI/日立 |
2447 |
TO-220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
HITACHI |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEC |
2022+ |
TO-220AB |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
NEC |
26+ |
WPAK8 |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
新年份 |
TO-220 |
65890 |
一级代理原装正品现货,支持实单! |
询价 |
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