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2SK2958L-E	文件：89.13 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.5 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：89.13 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2958S	文件：51.41 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.5mΩ typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：51.41 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2958S	文件：400.66 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：400.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2958STL-E	文件：89.13 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.5 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：89.13 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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