2SK2939资料使用说明书贸易商日立HITACHI-114ic电子网

首页 >2SK2939>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
2SK2939	文件：55.8 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.020 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：55.8 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2939	文件：128.6 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.020 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：128.6 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2939L	文件：55.8 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.020 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：55.8 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2939L-E	文件：128.6 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.020 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：128.6 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2939S	文件：55.8 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.020 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：55.8 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2939STL-E	文件：128.6 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =0.020 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：128.6 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2939L	文件：326.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：326.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2939S	文件：400.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：400.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2939L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance\n• High speed switching\n• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source;	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK2939S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
LDPAK(S)-(1)/TO-263
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
60
ID (A)：
35
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
50
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
26
Ciss (pF) 典型值：
1100
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
50
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿智腾科技有限公司	2SK2939	日立	24+	TO-262/263	6430	原装现货/欢迎来电咨询	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SK2939	日立	22+	TO-262263	6000	十年配单,只做原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SK2939	HITACHI/日立	23+	TO-262	12000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SK2939-90STL-E	RNENSAS	24+	TO263PB	1000		询价
深圳市益百分电子有限公司	2SK2939-90STL-E	RENESAS	6	TO263PB	1200	全新原装进口自己库存优势	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	2SK2939-90STL-E	RENESAS	1922+	TO-263	6598	原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SK2939-90STE	RENESAS/瑞萨	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
洪芯国际半导体（深圳）有限公司	2SK2939S	NEC	26+	原厂原封装	86720	全新原装正品价格最实惠假一赔百	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	2SK2939S	RENESAS/瑞萨	22+	TO-263	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
上海意淼电子科技有限公司	2SK2939-90STL-E	RENESAS	23+	TO263PB	20000	全新原装假一赔十	询价

更多2SK2939供应商更新时间2026-1-17 13:36:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号