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2SK1853	文件：359.07 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：359.07 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK1853	文件：491.62 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE 文件：491.62 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1858	文件：528.2 Kbytes Page：6 Pages	HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS. CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS. 文件：528.2 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1859	文件：82.31 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET • Low on-resistance • High speed switching • Low Drive Current • No secondary breakdown • Suitable for Switching regulator 文件：82.31 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1859-E	文件：82.31 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET • Low on-resistance • High speed switching • Low Drive Current • No secondary breakdown • Suitable for Switching regulator 文件：82.31 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1860	文件：77.29 Kbytes Page：3 Pages	Silicon N-Channel Junction FET For impedance conversion in low frequency For electret capacitor microphone ■ Features • High mutual conductance gm • Low noise voltage of NV 文件：77.29 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SK1861	文件：298.96 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 150V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：298.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1862	文件：950.2 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator 文件：950.2 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1862	文件：34.09 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for Switching regulator Application High speed power switching 文件：34.09 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1863	文件：950.2 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator 文件：950.2 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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技术参数

封装类型：
TO-220AB
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In SBD
VDSS (V) 最大值：
900
ID (A)：
4
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
4000
Ciss (pF) 典型值：
740
Vgs (off) (V) 最大值：
3
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
60
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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