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2SK1831	文件：33.66 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switchingregulator, DC-DC converter 文件：33.66 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1832	文件：33.66 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switchingregulator, DC-DC converter 文件：33.66 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1832	文件：82.57 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：82.57 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1832-E	文件：82.57 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：82.57 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1835	文件：330.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ·FEATURES ·Low drain-source on-resistance: RDS(ON) 7.0Ω (max) ·Enhancement mode: VGS(th) = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Switching Voltage Regulators 文件：330.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1835	文件：48.65 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • High breakdown voltage (VDSS = 1500V) • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switchingregulator Application High speed power switching 文件：48.65 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1835	文件：105.71 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • High breakdown voltage (VDSS = 1500 V) • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator Application High speed power switching 文件：105.71 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1835-E	文件：105.71 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • High breakdown voltage (VDSS = 1500 V) • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator Application High speed power switching 文件：105.71 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1836	文件：54.26 Kbytes Page：12 Pages	Silicon N-Channel MOS FET • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switchingregulator, DC-DC converter 文件：54.26 Kbytes 页数：12 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1837	文件：54.26 Kbytes Page：12 Pages	Silicon N-Channel MOS FET • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switchingregulator, DC-DC converter 文件：54.26 Kbytes 页数：12 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

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技术参数

封装类型：
TO-220AB
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In SBD
VDSS (V) 最大值：
900
ID (A)：
4
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
4000
Ciss (pF) 典型值：
740
Vgs (off) (V) 最大值：
3
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
60
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多2SK18供应商更新时间2026-1-17 13:30:00

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