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2SK1863	文件：34.09 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for Switching regulator Application High speed power switching 文件：34.09 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1869	文件：28.81 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No Secondary Breakdown • Suitable for Switching regulator, DC - DC converter Application High speed power switching 文件：28.81 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1869L	文件：28.81 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No Secondary Breakdown • Suitable for Switching regulator, DC - DC converter Application High speed power switching 文件：28.81 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1869L	文件：286.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 7A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 350V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：286.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1869S	文件：346.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 7A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 350V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：346.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1869S	文件：28.81 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No Secondary Breakdown • Suitable for Switching regulator, DC - DC converter Application High speed power switching 文件：28.81 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK187	文件：622.63 Kbytes Page：4 Pages	SILICON N-CHANNEL JUNCTION FET LOW FREQUECY LOW NOISE AMPLIFIER SILICON N-CHANNEL JUNCTION FET LOW FREQUECY LOW NOISE AMPLIFIER 文件：622.63 Kbytes 页数：4 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1871	文件：345.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 15A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.08Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1875	文件：169.58 Kbytes Page：3 Pages	N CHANNEL JUNCTION TYPE (HIGH, AM HIGH, AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS) High Frequency Amplifier Applications AM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 25 mS (typ.) • Low Ciss: Ciss = 7.5 pF (typ.) 文件：169.58 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1875	文件：533.24 Kbytes Page：5 Pages	N CHANNEL JUNCTION TYPE (HIGH, AM HIGH, AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS) High Frequency Amplifier Applications AM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 25 mS (typ.) • Low Ciss: Ciss = 7.5 pF (typ.) 文件：533.24 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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技术参数

封装类型：
TO-220AB
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In SBD
VDSS (V) 最大值：
900
ID (A)：
4
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
4000
Ciss (pF) 典型值：
740
Vgs (off) (V) 最大值：
3
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
60
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SK18供应商更新时间2026-1-18 8:01:00

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