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2SK1837	文件：82.24 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter 文件：82.24 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1837-E	文件：82.24 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter 文件：82.24 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1838	文件：46.71 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switchingregulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：46.71 Kbytes 页数：8 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1838	文件：89.11 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：89.11 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1838L	文件：46.71 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switchingregulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：46.71 Kbytes 页数：8 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1838L	文件：89.11 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：89.11 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1838L-E	文件：89.11 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：89.11 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1838S	文件：89.11 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：89.11 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1838S	文件：44.89 Kbytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switchingregulator, DC-DC converter 文件：44.89 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SK1838S	文件：46.71 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switchingregulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：46.71 Kbytes 页数：8 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

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技术参数

封装类型：
TO-220AB
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In SBD
VDSS (V) 最大值：
900
ID (A)：
4
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
4000
Ciss (pF) 典型值：
740
Vgs (off) (V) 最大值：
3
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
60
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市弘为电子有限公司	2SK18	TOSHIBA	24+	CAN6	2500	原装现货假一罚十	询价
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更多2SK18供应商更新时间2026-1-17 13:30:00

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