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2SK18	文件：133.95 Kbytes Page：1 Pages	DIFFERENTIAL AMPLIFIER APPLICATIONS Application Medical Electronic Equipment Video Pre-Amplifier VHF Band Amplifier 文件：133.95 Kbytes 页数：1 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1807	文件：82.41 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET * Low on-resistance * High speed switching * Low drive current * No secondary breakdown * Suitable for switchingregulator, DC-DC converter 文件：82.41 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1807	文件：64.7 Kbytes Page：2 Pages	Fast Switching Speed DESCRIPTION ·Drain Current ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 900V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·High Breakdown Voltage 文件：64.7 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1807	文件：32.82 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switchingregulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：32.82 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1807-E	文件：82.41 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET * Low on-resistance * High speed switching * Low drive current * No secondary breakdown * Suitable for switchingregulator, DC-DC converter 文件：82.41 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1808	文件：83.56 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：83.56 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1808-E	文件：83.56 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：83.56 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1809	文件：64.8 Kbytes Page：2 Pages	Low on-resistance DESCRIPTION • Drain Current ID= 5A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) • Fast Switching Speed • Low on-resistance • For switchinggregulator,DC-DC Converter APPLICATIONS • High speed power switching 文件：64.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1809	文件：1.34312 Mbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator, DC-DC converter 文件：1.34312 Mbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1809	文件：32.94 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switchingregulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：32.94 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

技术参数

封装类型：
TO-220AB
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In SBD
VDSS (V) 最大值：
900
ID (A)：
4
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
4000
Ciss (pF) 典型值：
740
Vgs (off) (V) 最大值：
3
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
60
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SK18供应商更新时间2026-1-17 13:30:00

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