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2SK1875	文件：256.07 Kbytes Page：5 Pages	High Frequency Amplifier Applications AM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications High Frequency Amplifier Applications AM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 25 mS (typ.) • Low Ciss: Ciss = 7.5 pF (typ.) 文件：256.07 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1875	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	丝印：RB；Package：USM；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1875_07	文件：533.24 Kbytes Page：5 Pages	N CHANNEL JUNCTION TYPE (HIGH, AM HIGH, AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS) High Frequency Amplifier Applications AM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 25 mS (typ.) • Low Ciss: Ciss = 7.5 pF (typ.) 文件：533.24 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1875-V	文件：256.07 Kbytes Page：5 Pages	High Frequency Amplifier Applications AM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications High Frequency Amplifier Applications AM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 25 mS (typ.) • Low Ciss: Ciss = 7.5 pF (typ.) 文件：256.07 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1880	文件：44.77 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • No secondary breakdown • Suitable for Switching regulator Application High speed power switching 文件：44.77 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1880	文件：85.43 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator Application High speed power switching 文件：85.43 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1880L	文件：85.43 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator Application High speed power switching 文件：85.43 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1880L	文件：44.77 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • No secondary breakdown • Suitable for Switching regulator Application High speed power switching 文件：44.77 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1880L-E	文件：85.43 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator Application High speed power switching 文件：85.43 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1880S	文件：85.43 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator Application High speed power switching 文件：85.43 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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技术参数

封装类型：
TO-220AB
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In SBD
VDSS (V) 最大值：
900
ID (A)：
4
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
4000
Ciss (pF) 典型值：
740
Vgs (off) (V) 最大值：
3
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
60
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SK18供应商更新时间2026-1-18 8:01:00

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