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2SK1859	文件：82.31 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET • Low on-resistance • High speed switching • Low Drive Current • No secondary breakdown • Suitable for Switching regulator 文件：82.31 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1859	文件：310.27 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：310.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1859	文件：33.01 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET 文件：33.01 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK1859	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK1859-E	文件：82.31 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET • Low on-resistance • High speed switching • Low Drive Current • No secondary breakdown • Suitable for Switching regulator 文件：82.31 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
TO-3PFM
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In SBD
VDSS (V) 最大值：
900
ID (A)：
6
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
3000
Ciss (pF) 典型值：
980
Vgs (off) (V) 最大值：
3
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
60
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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深圳市一线半导体有限公司	2SK1859	TOSHIBA	24+		60000		询价
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更多2SK1859供应商更新时间2026-1-19 16:30:00

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