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2SJ451	文件：40.57 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P-Channel MOS FET Features • Low on-resistance. • Low drive power • 2.5 V gate drive device. • Small package (MPAK). Application Low frequency power switching 文件：40.57 Kbytes 页数：8 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ451	文件：110.53 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Low frequency power switching Features • Low on-resistance. • Low drive power • 2.5 V gate drive device. • Small package (MPAK). 文件：110.53 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ451ZK-TL-E	文件：110.53 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Low frequency power switching Features • Low on-resistance. • Low drive power • 2.5 V gate drive device. • Small package (MPAK). 文件：110.53 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ451ZK-TR-E	文件：110.53 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Low frequency power switching Features • Low on-resistance. • Low drive power • 2.5 V gate drive device. • Small package (MPAK). 文件：110.53 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ451ZK-TL-E	文件：980.26 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：980.26 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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更多2SJ451供应商更新时间2025-10-12 14:14:00