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2SJ529STL-E	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.12 Ω typ. • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：94.51 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ529STL-E	文件：988.34 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：988.34 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ529	文件：53.04 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.12 Ω typ. • 4 V gete drive devices • High speed switching 文件：53.04 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ529	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.12 Ω typ. • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：94.51 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ529(L)_15	文件：114.08 Kbytes Page：11 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：114.08 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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